参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSC057N03LS G
说明	功率MOSFET   5.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	5000
最小包	5000
现货	10286 [库存更新时间：2025-04-21]
2.5 W	Pd - 功率消耗
系列	BSC057N03
下降时间	3.2 ns
上升时间	3.6 ns
标准包装数量	5000
公司名称	OptiMOS
标准断开延迟时间	19 ns
配置	Single Quad Drain Triple Source
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	71A
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.8mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	30nC
Pd-功率耗散(Max)	45W
高度	1.27mm
长度	5.9mm
FET类型	N-Channel
宽度	5.15mm
正向跨导 - 最小值	36S
典型关闭延迟时间	19ns
典型接通延迟时间	4.7ns
工作温度	-55°C~150°C